SXJS-IV抗干扰介质损耗测试仪工作原理：
仪器测量线路包括一路标准回路和一路测试回路，如图三所示。
标准回路由内置高压稳定度标准电容器与标准电阻网络组成，由计算机实时采集标准回路电流与测试回路的电流幅值及其相位差，并算出被测试品电容容值（CX）和介质损耗（tgδ）。

关键词：SXJS-IV抗干扰介质损耗测试仪，抗干扰介质损耗测试仪，介质损耗测试仪
数据采集电路全部采用高压稳定器件，采集板和采集计算机被铁盒*浮空屏蔽，仪器外壳接地屏蔽；
SXJS-IV抗干扰介质损耗测试仪使用方法：
★★★安全操作注意事项
1、使用时必须将仪器接地端子可靠接地。
2、只有关闭仪器电源，试验电压选择开关置于“关”位置时，接触仪器的后部及其测量线缆与被试品才被认为是安全的。
3、仪器在测试过程中，严禁操作“试验电压”选择开关。
4、★正接线法UH端为高电压，反接线法IX端为高电压，使用时必须根据实际情况，将带高压的线缆与地保持足够的距离，使用我公司提供的特种绝缘电缆测量大容量试品可以拖地使用。
5、不得更换不符合面板指示值的保险丝管。
6、使用时尽可能用厂家随仪器提供的线缆以确保测量准确度。
7、操作键盘
备用------不用。
快测-------快速测量，无抗干扰功能。
抗扰-------抗干扰测量。
正接-------正接法测量。
打印-------在测试结果出来后，打印测试数据。
反接-------反接法测量。
起动-------起动高压，开始测量。
外接-------外接法测量。也用来选择外接标准电容的容量。
停止-------可以在测试过程中，中断测量。
打开电源，仪器首先自检
（显示屏、光电通讯、内存、操作键、数模转换、电网频率），自检通过后，进入主目录。这时按屏幕提示即可完成测试。
进入测量状态后，用户随时可用“停止”键退出测量状态。
做正、反接测量时无须人工，测试线的接法与仪器操作测量方式相符，如使用正接法的接线方式，测试时，按“反接”键测量，也能得出结果，但该结果不真实可靠。
做外接方式测量时，中途会显示“请关闭外接高压！”并停一下，等候人工将外加高压关闭，关闭外高压后（必须关闭外高压），再按一次“起动”，键才能完成测试。
如果外高压未关闭，则测试结果不真实。
外接标准电容的容量选择：
“外接方式”时，按一次“外接”键，则显示的外接标准电容容量“XXXXpF”将改变，共八种容量供选择（zui后一种为厂家调试用，用户使用则无效）。
50pF,100pF,150pF,200pF,500pF,1000pf,XXXpF,XXXpF.
应选择与外接标准电容相等的容量。如果使用的外接电容量特殊，可请生产厂家将该电容容量输入仪器中。如果选择的外接电容与实际不相等，则测量结果会受影响。
正接线法：（接线如图四所示）
通电前，先将“试验电压”开关置于“关”位置。将UH端子用线缆的大铁夹（有UH标记），接至被试品高压端，将IX端子用另一根线缆的芯线线头（红色，有CX标记），接被试品CX低压端，它的屏蔽线头（黑色，有E标记）接地，如果试品低压端有屏蔽端子，可用导线将该端子与“E”连接后接地。
通电后，按“正接”键。选好的正接线方式：用“试验电压”开关选好电压：然后按“起动”键开始测试。
反接线法（接线如图五所示）
通电前，先将“试验电压”开关置于“关”位置，将UH端子接地，将IX的芯线（有CX标记）接至被试品CX的高压端。
通电后，按“反接”键， 选好反接线方式：用“试验电压”开关选好电压，然后按“起动”键开始测试。
SXJS-IV抗干扰介质损耗测试仪特别注意：屏蔽“E”与IX电位接近，可接至被试品高压端的屏蔽或者悬空，不能接地！！！否则，仪器内部高压器变压器输出端短路。
外接高压法：接线如图六所示
CB为外接标准电容，CX为被试品。
当被试品要求试验电压大于10KV时或试品容量大于60000pF时，可以外接高压进行测量，即不使用仪器内部高压器，而外接一台高压装置进行测量。
注意：外接高压法进行测量时，“试验电压”开关置于“关”位置！调整好外接电压，然后“起动”键开始测试。
通电后多接“外接”键，选好外接方式 以及外接的标准电容容量，必须再将“试验电压”开关置于“关”位置！调整好外接电压，然后“起动”键开始测试。

SXJS-IV抗干扰介质损耗测试仪技术指标： 
1、环境：-5℃～40℃（液晶屏应避免长时间日照） 
2、相对湿度：30%～70% 
3、供电电源：电压：220V±10%，频率50±1Hz 
4、外形尺寸：长*宽*高=500mm*300mm*400mm 
5、重量：28kg 
6、输出功率：1.5KVA 
7、显示分辨率：3位、4位（内部全是6位） 
8、测试方法：正接法、反接法、外接试验电压法
9、测量范围：内接试验电压：≤60000PF（10KV电压大于30000PF）
外接试验电压：由外接试验变压器输出功率而定 
10、基本测量误差： 
介质损耗（tgδ）：1%±0.04% 
电容容量（Cx）：1%±1pF